EUV光源原理

2019年1月25日—半導體製程的原理是「差異蝕刻」：半導體基板上被光照射的區域會發生化學...圖二、EUV光源的產生。在2000年初，EUV製成的可行性被確認。但直到最近 ...,,2023年3月10日—極紫外光（Extremeultraviolet,EUV）是波長小於13.5奈米的光，使用EUV作為光源的曝光機，即為EUV曝光機。...為了讓大家盡量了解原理，三角形圖案已 ...,2020年10月22日—此時準分子雷射(excimerlaser)的光源就應運而生了，它是利用惰性氣體與鹵...

參考資訊如下
新一代製程的關鍵：13.5奈米的「極端」紫外光

2019年1月25日 — 半導體製程的原理是「差異蝕刻」：半導體基板上被光照射的區域會發生化學 ... 圖二、EUV光源的產生。 在2000年初，EUV製成的可行性被確認。但直到最近 ...

挽救摩爾定律：ASML 極紫外光（EUV）微影技術量產的開發歷程

全球瘋搶EUV 曝光機！究竟是摩爾定律的救命曙光

2023年3月10日 — 極紫外光（Extreme ultraviolet, EUV）是波長小於13.5 奈米的光，使用EUV 作為光源的曝光機，即為EUV 曝光機。 ... 為了讓大家盡量了解原理，三角形圖案已 ...

摩爾定律的華麗謝幕：EUV微影機

2020年10月22日 — 此時準分子雷射(excimer laser)的光源就應運而生了，它是利用惰性氣體與鹵素分子混合，藉由電子束的能量激發，而產生深紫外光的波長，如利用氟化氪(KrF) ...

極紫外線光學元件

... EUV 來源，進而推出多款商用EUV 光源。 幾乎所有材料都會大幅吸收EUV 輻射，因此光學元件一定採用反射式而非透射式。由於波長短，EUV 光學元件的表面品質要求比可見光 ...

EUV光源是怎么来的?

2023年7月5日 — 这15年历尽坎坷,要理解其中的难点,我们不得不谈一谈13.5纳米的EUV光源的发光基本原理,EUV光源的基本物理原理是电子从高能级向低能级跃迁发射光子,电子跃迁 ...

极紫外光刻光源的研究进展及发展趋势

由 林楠 著作 · 被引用 7 次 — 5 nm EUVL 光源的原理和最新进展，分别从驱动光源、靶. 材、收集镜等关键子系统展开介绍。讨论了激光等离子体光源进一步发展过程中需要解决的问题，如提升激发光. 功率 ...

藉助CO 2 高功率雷射系統和錫產生EUV輻射

EUV光刻的一大挑戰在於產生13.5奈米的最佳波長光束。解決方案：透過雷射射束生成提供極短波長光束的發光電漿。但如何先形成電漿？發生器讓錫 ...

ASML如何製造出EUV極紫外光？EUV光源研發的故事

2021年2月4日 — EUV的技術原理，藉由精細的雷射光線與水滴相撞擊， 搭配音樂為大家帶來了無與倫比的感官享受 在這16 天的展期中，我們攜手創造了3項成就： ☝️見證 ...

極紫外光微影製程

極紫外光微影（英語：extreme ultraviolet lithography，中國大陸稱為極紫外光刻，簡稱「EUV ... EUV微影製程選擇第二中作法,將光源波長降低13.5奈米來提升電路圖案解析度， ...